SKM300GM12T4SKM300GM12T4

產(chǎn)品范圍包括芯片、半導(dǎo)體分立器件、IGBT、二極管和可控硅模塊、定制解決方案和集成電子功率單元系統(tǒng)。賽米控是二極管和可控硅半導(dǎo)體模塊市場的*，擁有30%的*。（資料來源：IMS Research, The WorldMarket for Power Semiconductor Discretes & Modules – 2011 Edition）。SKM300GM12T4

SKM100GB123 品牌：賽米控又名西門康（SEMIKRON）

SKM100GB123類型：可控硅/IGBT功率模塊/IGBT智能模塊

SKM100GB123備注：全新*/圖片/維修技術(shù)參數(shù)

SKM100GB123產(chǎn)地：德國進(jìn)口

（作者：深圳市邁瑞斯科技有限公司）---有售

產(chǎn)品范圍包括芯片、半導(dǎo)體分立器件、IGBT、二極管和可控硅模塊、定制解決方案和集成電子功率單元系統(tǒng)。賽米控是二極管和可控硅半導(dǎo)體模塊市場的*，擁有30%的*。（資料來源：IMS Research, The WorldMarket for Power Semiconductor Discretes & Modules – 2011 Edition）。

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提高運行溫度和功率循環(huán)能力

功率模塊中芯片與DCB之間焊層尺寸僅次于有銅底板模塊中DCB基板和底板之間的焊層尺寸。用燒結(jié)結(jié)合替代這些焊接層，能提高運行溫度及功率循環(huán)能力，而且能進(jìn)一步改善芯片的散熱情況。

SKiNTER是賽米控2007年推出的功率模塊技術(shù)。它利用精細(xì)銀粉，在高壓及大約250°C溫度條件下燒結(jié)為低氣孔率的銀層。銀的熔點在962°C，銀層能極為穩(wěn)定地連接芯片與DCB表面。這個熔化溫度比錫銀焊接層的熔化溫度高四倍，正因為此，其功率循環(huán)能力提升二至三倍，而且高運行溫度下的燒結(jié)組件*可靠。如今標(biāo)準(zhǔn)的錫銀焊接由于熱應(yīng)力在溫度125°C就會老化。圖1用實例表示取得的進(jìn)展：與燒結(jié)模塊相比，焊接模塊由于散熱性差，很早就會因焊接老化引起芯片溫度上升。芯片與DCB之間為燒結(jié)結(jié)合的模塊使用壽命更長。

專業(yè)功率IGBT模塊代理/批發(fā):.三菱、英飛凌、EUPEC、富士、東芝、三社、三墾、西門康、ST、IR,IXYS,日立等品牌

SKKD260/20H4 SKKT250/08E

SKKD380/08 SKKT172/18E

SKKD380/12 SKKT172/16E

SKKD380/16 SKKT172/14E

SKKD380/18 SKKT162/22EH4

SKKD380/20H4 SKKT162/20EH4

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SKKD701/12 SKKT162/16E

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SKKD701/22H4 SKKT162/08E

SKKD75F12 SKKT132/22EH4

SKKE1200/18H4 SKKT132/20EH4

SKKE1200/22H4 SKKT132/18E

SKKE120F17 SKKT132/16E

SKKE162/08 SKKT132/14E

SKKE162/12 SKKT132/12E

SKKE162/14 SKKT132/08E

SKKE162/16 SKKT122/18E

SKKE162/18 SKKT122/16E

SKKE162/22H4TS SKKT122/12E

SKKE290F06 SKKT107B16E

SKKE301F12 SKKT107/16E

SKKE310F12 SKKT106B18E

SKKE330F17 SKKT106B16E

產(chǎn)品范圍包括芯片、半導(dǎo)體分立器件、IGBT、二極管和可控硅模塊、定制解決方案和集成電子功率單元系統(tǒng)。賽米控是二極管和可控硅半導(dǎo)體模塊市場的*，擁有30%的*。（資料來源：IMS Research, The WorldMarket for Power Semiconductor Discretes & Modules – 2011 Edition）。

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